國家存儲器基地 
國家存儲器基地位于武漢光谷 [1]  。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據(jù)了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。
項目開工編輯
2017年1月1日，總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工。 [3] 
建設方編輯
“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產品設計、技術研發(fā)、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展。 [3] 
項目內容編輯
“國家存儲器基地”項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D　NAND　Flash　FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。 [3] 
意義編輯
芯片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業(yè)，半導體集成電路持續(xù)受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業(yè)的基礎產品之一，產品的成熟度和產業(yè)的規(guī)模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標志著芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。 [2] 
案例合同：

產品簡介：

1、彈簧采用低頻率值設計，并經噴塑處理，耐候性強，防震效果好。
2、頂部、底部均采用防滑耐磨橡膠以及固定螺栓，安全性能大大提高。
3、安裝簡單并根據(jù)實際需要調整水平及高度。
4、能夠有效隔變壓器的振動，并保護及延長其使用壽命。